韩DRAM出口价持续大涨，AI用HBM挤占普通内存产能
AI催生的HBM产能虹吸正把普通DRAM价格推上十二年高点，而韩国存储双雄的万亿级AI豪赌却先换来股价重挫，供给缺口短期看不到头。
据公开资讯，韩国《朝鲜日报》8月26日披露的一组数据把存储市场的紧俏摆到了台面上：本月1日至20日，韩国DRAM出口单价达到每公斤9.2183万美元，同比上涨401%，较2023年1月低点上涨约12.5倍。背后逻辑并不复杂——AI服务器所需的高带宽内存（HBM）以及大容量服务器DRAM正在吸收有限的生产产能，普通DRAM的供应被进一步收紧。高盛预计，DRAM供应缺口将从今年的5.0%扩大至明年的5.9%，并且这一短缺可能持续至2028年。
TrendForce的测算提供了另一层视角：到明年底，三星、SK海力士和美光用于HBM生产的晶圆投入量将占DRAM总晶圆投入的30%，但HBM占实际DRAM比特供应量仅约13%。也就是说，产能倾斜程度和最终比特产出之间还存在明显落差。内存厂商警告，AI需求推动的DRAM和NAND供应紧张可能持续至2027年以后，SK海力士更是直言，从供应端来看，2027年可能成为“内存行业历史上最严重的短缺年份”。
有意思的是，就在供给缺口叙事强化之际，韩国存储双雄却在本周放出AI“王炸”后遭遇资本市场冷脸。据韩国关联报道，三星与SK海力士合计拟投入4755万亿韩元（约1.3万亿美元）押注AI与芯片，规模相当于韩国年度GDP的数倍，开支节奏与融资方式仍未明朗。其中三星方面更传出十年内拟投1000万亿韩元的方案。然而计划曝光前后，三星与SK的股价却双双重挫，投资者显然没有被万亿级支出承诺说服——巨额资本开支短期侵蚀利润，而AI变现路径与回报周期都还模糊。
更现实的麻烦不止于估值。三星、海力士等存储巨头在美国遭集体诉讼，叠加万亿韩元级AI资本开支计划，法律成本与折旧压力可能共同压制盈利预期，相关个股波动风险仍需观察。此外，近期有数据显示美股杠杆资金规模已达约1.4万亿美元，被指将市场推向危险高位，当流动性宽松预期生变，重资产、长周期的AI扩产故事最容易先被抛售。韩国8月综合商业信心指数升至99.6，前月98.5，宏观情绪略有回暖，但未能对冲板块层面的谨慎。
从关联品种看，除韩系存储与设备厂外，全球AI算力链、HBM概念及韩国本土半导体材料商均与之联动，只是情绪传导往往快过基本面。SK海力士近期股价大跌，市场传言一份报告是导火索，但因果关系还没坐实；在报告来源与核心论据未获核实前，单纯因市场传言引发的下跌可能包含情绪化交易成分。后续值得盯紧几条线：一是三星与SK海力士的正式财报指引与资本开支确认额，二是美国集体诉讼的进展与潜在赔偿敞口，三是国际清算银行所提“投资萧条”会否在先行者业绩中露头，四是全球存储颗粒现货价与合约价的周度变化。该计划会否带动东亚半导体资本开支共振，或只是区域内卷，仍需观察。
- 韩国8月前20日DRAM出口单价每公斤9.2183万美元，同比涨401%，较2023年1月低点涨约12.5倍。
- 高盛预计DRAM供应缺口今年5.0%、明年5.9%，短缺可能一路持续到2028年。
- 三星与SK海力士合计拟投4755万亿韩元（约1.3万亿美元）搞AI与芯片，股价却先跌为敬。
- TrendForce估明年底HBM晶圆投入占DRAM总投入30%，但比特供应量仅约13%。
- SK海力士称2027年可能是内存行业历史上最严重的短缺年份，厂商警告紧张延伸至2027年后。
- 韩系存储巨头在美国遇集体诉讼，法律成本叠加重资产开支压力，个股波动风险仍需观察。