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从钨到钼，SK海力士下一代NAND盯上“更低电阻”
SK海力士375层3D NAND计划年底前量产。
相比层数提升，其将引入钼材料替代部分钨薄膜，以改善高层数NAND的电阻和性能问题。
◆ 要点速览
- SK海力士375层3D NAND计划年底前量产
- 下一代NAND引入钼替代部分钨薄膜以改善电阻和性能
✦ 来源与风险提示
本文据公开资讯整理改写，仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，交易需谨慎。
SK海力士375层3D NAND计划年底前量产。
相比层数提升，其将引入钼材料替代部分钨薄膜，以改善高层数NAND的电阻和性能问题。